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RQ3E100GNTB  与  DMG7430LFG-7  区别

型号 RQ3E100GNTB DMG7430LFG-7
唯样编号 A33-RQ3E100GNTB-1 A3-DMG7430LFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.7mΩ 11mΩ
上升时间 4.3ns 21.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 2.2W
Qg-栅极电荷 7.9nC 26.7nC
栅极电压Vgs 2.5V 2.5V
典型关闭延迟时间 22.4ns 22.3ns
正向跨导 - 最小值 8S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 PowerDI
连续漏极电流Id 10A 10.5A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
通道数量 1Channel 1Channel
配置 Single SingleTripleSourceQuadDrain
系列 - DMG7430
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1281pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 3.1ns 5.1ns
典型接通延迟时间 8.4ns 5.2ns
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
110+ :  ¥1.3991
500+ :  ¥1.3224
1,000+ :  ¥1.2649
2,000+ :  ¥1.2266
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E100GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

10A 2W 11.7mΩ 30V 2.5V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥1.3991 

阶梯数 价格
110: ¥1.3991
500: ¥1.3224
1,000: ¥1.2649
2,000: ¥1.2266
3,000 当前型号
AON7430 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 23W 12mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.419 

阶梯数 价格
40: ¥1.419
100: ¥1.0923
1,250: ¥0.9097
2,500: ¥0.8283
3,725 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
AON7430L AOS 功率MOSFET

9A (Ta),20A (Tc) N-Channel ±20V 12 mΩ @ 20A,10V 8-DFN-EP(3x3) 1.7W (Ta),25W (Tc) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
AON7414 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 20A 15.5W 15mΩ@10V

暂无价格 0 对比

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