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功率MOSFET   -55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

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制造商编号 DMG7430LFG-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A-DMG7430LFG-7
供货 自营
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 26.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1281pF @ 15V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 PowerDI
连续漏极电流Id 10.5A
Pd-功率耗散(Max) 2.2W
Qg-栅极电荷 26.7nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 11mΩ
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs 2.5V
上升时间 21.2ns
下降时间 5.1ns
典型关闭延迟时间 22.3ns
典型接通延迟时间 5.2ns
FET类型 N-Channel
系列 DMG7430
通道数量 1Channel
配置 SingleTripleSourceQuadDrain
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