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RQ3E080GNTB  与  DMG7408SFG-7  区别

型号 RQ3E080GNTB DMG7408SFG-7
唯样编号 A33-RQ3E080GNTB A36-DMG7408SFG-7-1
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.7mΩ@8A,10V 23mΩ@10A,10V
上升时间 3.6ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1W(Ta)
Qg-栅极电荷 5.8nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
正向跨导 - 最小值 7S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 PowerDI
连续漏极电流Id 8A 7A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 478.9pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 2.4ns -
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 1,659 9,299
工厂交货期 21 - 28天 3 - 15天
单价(含税)
110+ :  ¥1.4278
500+ :  ¥1.1116
1,000+ :  ¥1.0733
60+ :  ¥0.9524
100+ :  ¥0.6356
1,000+ :  ¥0.5772
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E080GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥1.4278 

阶梯数 价格
110: ¥1.4278
500: ¥1.1116
1,000: ¥1.0733
1,659 当前型号
DMG7408SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

PowerDI

¥0.9524 

阶梯数 价格
60: ¥0.9524
100: ¥0.6356
1,000: ¥0.5772
9,299 对比
AON7406 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥0.5195 

阶梯数 价格
100: ¥0.5195
500: ¥0.3464
2,500: ¥0.3019
5,000: ¥0.2703
9,175 对比
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥0.682 

阶梯数 价格
80: ¥0.682
500: ¥0.5759
896 对比
AON7410 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥0.6279 

阶梯数 价格
80: ¥0.6279
127 对比
AON7410 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

暂无价格 10 对比

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