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采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代 CoolSiC™ G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效率、紧凑设计和可靠性。
随着科技的发展,空调日渐普及,但是吊扇依旧受到众多消费者的青睐。英飞凌的永磁同步电机吊扇解决方案由非隔离15V、700mA高压(HV)降压转换器ICE5BR2280BZ和单片集成NPN型电压调节器TLE4284供电,采用IM241系列CIPOS™ Micro IPM作为驱动。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
继宣布推出全球首款300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂之后,英飞凌再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。。。
应对工业系统通信方式的重大飞跃:了解TDK针对模拟元器件的SPE评估板推出多款PoDL扩展板(#SPE) – 其设计不仅是为了满足工业互联网的连接标准,而且重新定义工业物联网的连接标准#工业物联网。
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