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功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
继宣布推出全球首款300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂之后,英飞凌再次在半导体制造技术领域取得新的里程碑。。。
应对工业系统通信方式的重大飞跃:了解TDK针对模拟元器件的SPE评估板推出多款PoDL扩展板(#SPE) – 其设计不仅是为了满足工业互联网的连接标准,而且重新定义工业物联网的连接标准#工业物联网。
● 凭借这一突破性的300 mm GaN技术,英飞凌将推动GaN市场快速增长 ● 利用现有的大规模300 mm硅制造设施,英飞凌将最大化GaN生产的资本效率 ● 300 mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平
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