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RTR025N03TL  与  IRLML2030TRPBF  区别

型号 RTR025N03TL IRLML2030TRPBF
唯样编号 A36-RTR025N03TL A36-IRLML2030TRPBF
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.5A,4.5V 100mΩ@2.7A,10V
上升时间 15 ns -
栅极电压Vgs 12V ±20V
封装/外壳 TSMT Micro3™/SOT-23
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A 2.7A
配置 Single -
长度 2.9 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 4.5V,10V
下降时间 10 ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.3V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 110pF @ 15V
高度 0.85 mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1.3W(Ta)
典型关闭延迟时间 25 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RTR HEXFET®
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA 2.3V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 10V 110pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V 1nC @ 4.5V
典型接通延迟时间 9 ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1nC @ 4.5V
库存与单价
库存 4 30,833
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6765
200+ :  ¥0.5512
1,500+ :  ¥0.5005
3,000+ :  ¥0.468
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
33,924 对比
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
3,000: ¥0.468
30,833 对比

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