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RTR025N03TL  与  DMN3110S-7  区别

型号 RTR025N03TL DMN3110S-7
唯样编号 A36-RTR025N03TL A3-DMN3110S-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.5A,4.5V -
上升时间 15 ns -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 305.8 pF @ 15 V
栅极电压Vgs 12V ±20V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 8.6 nC @ 10 V
封装/外壳 TSMT SOT-23-3
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A 2.5A(Ta)
配置 Single -
长度 2.9 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
下降时间 10 ns -
高度 0.85 mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 740mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 73mΩ@3.1mA,10V
典型关闭延迟时间 25 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RTR -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
驱动电压 - 4.5V,10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 9 ns -
库存与单价
库存 4 42,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 4 当前型号
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 48,000 对比
DMN3110S-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 42,000 对比
DMN3051L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 35,000 对比
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
33,924 对比
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
3,000: ¥0.468
30,833 对比

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