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RTR025N03TL  与  DMN3150L-7  区别

型号 RTR025N03TL DMN3150L-7
唯样编号 A36-RTR025N03TL A3-DMN3150L-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.6 mm 1.3 mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.5A,4.5V 85mΩ@3.6A,4.5V
上升时间 15 ns 3.49 ns
漏源极电压Vds 30V 28V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1.4W(Ta)
典型关闭延迟时间 25 ns 15.02 ns
栅极电压Vgs 12V ±12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TSMT SOT-23
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.5A 3.8A
系列 RTR DMN
配置 Single Single
通道数量 1 Channel 1 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA 1.4V @ 250µA
长度 2.9 mm 2.9 mm
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 10V 305pF @ 5V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,10V
下降时间 10 ns -
典型接通延迟时间 9 ns 1.14 ns
高度 0.85 mm 1 mm
库存与单价
库存 4 48,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RTR025N03TL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

2.9mm TSMT

暂无价格 4 当前型号
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

暂无价格 48,000 对比
DMN3110S-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 42,000 对比
DMN3051L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 35,000 对比
DMN3150L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

2.9mm SOT-23

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
33,924 对比
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
3,000: ¥0.468
30,833 对比

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