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功率MOSFET   2.9mm TSMT

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制造商编号 RTR025N03TL
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A36-RTR025N03TL
供货
产品周期

量产中(新设计非推荐)

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
栅极电压Vgs:12V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:92mΩ@2.5A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 RTR
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
配置 Single
下降时间 10 ns
典型接通延迟时间 9 ns
上升时间 15 ns
通道数量 1 Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 10V
栅极电压Vgs 12V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.5A,4.5V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 TSMT
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 2.5A
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