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IRLR024NTRPBF  与  DMN6068LK3-13  区别

型号 IRLR024NTRPBF DMN6068LK3-13
唯样编号 A36-IRLR024NTRPBF A36-DMN6068LK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 45 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@10A,10V 68mΩ
上升时间 - 10.8ns
Qg-栅极电荷 - 10.3nC
栅极电压Vgs ±16V 1V
正向跨导 - 最小值 - 19.7S
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 8.5A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 8.7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 25V -
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 8.49W
典型关闭延迟时间 - 11.9ns
FET类型 N-Channel -
系列 HEXFET® DMN6068
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 25V 502pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V 10.3nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 3.6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V -
库存与单价
库存 16,065 867
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥1.815
100+ :  ¥1.397
1,000+ :  ¥1.166
2,000+ :  ¥0.968
30+ :  ¥1.793
100+ :  ¥1.375
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥1.815 

阶梯数 价格
30: ¥1.815
100: ¥1.397
1,000: ¥1.166
2,000: ¥0.968
16,065 当前型号
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
100: ¥3.003
1,153 对比
IRLR024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.178 

阶梯数 价格
30: ¥2.178
100: ¥1.738
750: ¥1.551
908 对比
DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥1.793 

阶梯数 价格
30: ¥1.793
100: ¥1.375
867 对比
AOD444 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
259 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

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