首页 > 商品目录 > > > > IRLR024NTRPBF代替型号比较

IRLR024NTRPBF  与  AOD444  区别

型号 IRLR024NTRPBF AOD444
唯样编号 A36-IRLR024NTRPBF A36-AOD444
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 45 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - TO-252AA
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 27
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@10A,10V 60mΩ@12A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 85mΩ
Qgd(nC) - 1.9
栅极电压Vgs ±16V ±20V
Td(on)(ns) - 4.2
封装/外壳 D-Pak TO-252
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id 17A 12A
Ciss(pF) - 450
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 25V -
Trr(ns) - 27
Td(off)(ns) - 16
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 20W
Qrr(nC) - 30
VGS(th) - 3
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 480pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 5V -
Coss(pF) - 61
Qg*(nC) - 3.8
库存与单价
库存 16,065 259
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥1.815
100+ :  ¥1.397
1,000+ :  ¥1.166
2,000+ :  ¥0.968
40+ :  ¥1.595
100+ :  ¥1.221
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥1.815 

阶梯数 价格
30: ¥1.815
100: ¥1.397
1,000: ¥1.166
2,000: ¥0.968
16,065 当前型号
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.608 

阶梯数 价格
20: ¥3.608
100: ¥3.003
1,153 对比
IRLR024NTRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥2.178 

阶梯数 价格
30: ¥2.178
100: ¥1.738
750: ¥1.551
908 对比
DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥1.793 

阶梯数 价格
30: ¥1.793
100: ¥1.375
867 对比
AOD444 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
259 对比
STD20NF06LT4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售