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IRF7410TRPBF  与  DMP2022LSS-13  区别

型号 IRF7410TRPBF DMP2022LSS-13
唯样编号 A36-IRF7410TRPBF A3-DMP2022LSS-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 12 V 13 mOhm 91 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 20V 10A 13 mO P-ch SO-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.1mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@16A,4.5V 13mΩ@10A,10V
上升时间 - 9.9ns
Qg-栅极电荷 - 56.9nC
栅极电压Vgs ±8V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
正向跨导 - 最小值 - 28S
封装/外壳 8-SO SOP-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A 10A
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.3mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 2.5V,10V
下降时间 - 76.5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8676pF @ 10V -
高度 - 1.50mm
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W
典型关闭延迟时间 - 108ns
FET类型 P-Channel P-Channel
系列 HEXFET® DMP2022
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA 1.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8676pF @ 10V 2444pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 4.5V 56.9nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 7.5ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 200 5,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.3611
100+ :  ¥3.3288
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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8-SO

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阶梯数 价格
30: ¥1.683
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