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功率MOSFET   8-SO

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制造商编号 IRF7410TRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A36-IRF7410TRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single P-Channel 12 V 13 mOhm 91 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8676pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8676pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@16A,4.5V
FET类型 P-Channel
漏源极电压Vds 20V
连续漏极电流Id 16A
封装/外壳 8-SO
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V
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库存 :  200

价格梯度 单价(含税)
20+ ¥3.3611
100+ ¥3.3288
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

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最小包:4,000 
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起订量:20 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  23+

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制造商编号 最近销量(PCS)
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7410TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.3611 

阶梯数 价格
20: ¥3.3611
100: ¥3.3288
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100: ¥1.298
1,250: ¥1.122
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8-SO

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