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IRF7410TRPBF  与  IRF7410PBF  区别

型号 IRF7410TRPBF IRF7410PBF
唯样编号 A36-IRF7410TRPBF A-IRF7410PBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 12 V 13 mOhm 91 nC 2.5 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 Single P-Channel 12 V 2.5 W 91 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@16A,4.5V 7mΩ@16A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±8V ±8V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 16A 16A
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 8676pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V 1.8V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8676pF @ 10V 8676pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 91nC @ 4.5V 91nC @ 4.5V
库存与单价
库存 200 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.3611
100+ :  ¥3.3288
暂无价格
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