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功率MOSFET   SOP-8 5.3mm

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制造商编号 DMP2022LSS-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A3-DMP2022LSS-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
20V 10A 13 mO P-ch SO-8
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 56.9nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2444pF @ 10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOP-8
连续漏极电流Id 10A
Pd-功率耗散(Max) 2.5W
Qg-栅极电荷 56.9nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 13mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 20V
栅极电压Vgs ±12V
上升时间 9.9ns
下降时间 76.5ns
典型关闭延迟时间 108ns
典型接通延迟时间 7.5ns
宽度 4.1mm
正向跨导 - 最小值 28S
系列 DMP2022
配置 SingleQuadDrainTripleSource
长度 5.3mm
高度 1.50mm
FET类型 P-Channel
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