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IRF100S201  与  PSMN5R6-100BS,118  区别

型号 IRF100S201 PSMN5R6-100BS,118
唯样编号 A36-IRF100S201 A-PSMN5R6-100BS,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF100S201 Series 100 V 4.2 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3 MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@115A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 441W(Tc) 306W
输出电容 - 561pF
栅极电压Vgs ±20V 3V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263AB SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 192A 100A
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
输入电容 - 8061pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥13.2728
400+ :  ¥11.2481
800+ :  ¥10.3194
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