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IRF100S201  与  IPB100N10S3-05  区别

型号 IRF100S201 IPB100N10S3-05
唯样编号 A36-IRF100S201 A-IPB100N10S3-05
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF100S201 Series 100 V 4.2 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@115A,10V 4.8mΩ
上升时间 - 17ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-263AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 192A 100A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 20ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 441W(Tc) 300W
典型关闭延迟时间 - 60ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ OptiMOS-T
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 34ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF100S201 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263AB

暂无价格 1 当前型号
AOB292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 对比
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PSMN5R6-100BS_SOT404

¥13.2728 

阶梯数 价格
210: ¥13.2728
400: ¥11.2481
800: ¥10.3194
0 对比
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BUK965R8-100E_SOT404

¥16.2018 

阶梯数 价格
210: ¥16.2018
400: ¥13.7303
800: ¥12.5966
0 对比
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