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IRF100S201  与  AOB292L  区别

型号 IRF100S201 AOB292L
唯样编号 A36-IRF100S201 A-AOB292L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF100S201 Series 100 V 4.2 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 32
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@115A,10V 4.1mΩ@20A,10V
Qgd(nC) - 13.5
栅极电压Vgs ±20V ±20V
Td(on)(ns) - 20
封装/外壳 TO-263AB TO-263
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55℃~175℃
连续漏极电流Id 192A 105A
Ciss(pF) - 6775
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
Trr(ns) - 50
Td(off)(ns) - 48
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 441W(Tc) 300W
Qrr(nC) - 380
VGS(th) - 3.4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
Coss(pF) - 557
Qg*(nC) - 90*
库存与单价
库存 1 749
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥14.6939
100+ :  ¥10.5882
400+ :  ¥9.1139
800+ :  ¥7.2
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TO-263

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
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210: ¥16.2018
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