首页 > 商品目录 > > > > IRF100S201代替型号比较

IRF100S201  与  BUK965R8-100E,118  区别

型号 IRF100S201 BUK965R8-100E,118
唯样编号 A36-IRF100S201 A-BUK965R8-100E,118
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 IRF100S201 Series 100 V 4.2 mOhm Surface Mount HEXFET® Power Mosfet - D2PAK-3 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.2mΩ@115A,10V -
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 441W(Tc) 349W
输出电容 - 725pF
栅极电压Vgs ±20V 1.7V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263AB SOT404
工作温度 -55°C~175°C(TJ) 175℃
连续漏极电流Id 192A 120A
系列 HEXFET®,StrongIRFET™ -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
输入电容 - 13100pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 5.8mΩ@5V,5.6mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 9500pF @ 50V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 255nC @ 10V -
库存与单价
库存 1 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格
210+ :  ¥16.2018
400+ :  ¥13.7303
800+ :  ¥12.5966
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF100S201 Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263AB

暂无价格 1 当前型号
AOB292L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263

¥14.6939 

阶梯数 价格
1: ¥14.6939
100: ¥10.5882
400: ¥9.1139
800: ¥7.2
749 对比
PSMN5R6-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN5R6-100BS_SOT404

¥13.2728 

阶梯数 价格
210: ¥13.2728
400: ¥11.2481
800: ¥10.3194
0 对比
BUK965R8-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK965R8-100E_SOT404

¥16.2018 

阶梯数 价格
210: ¥16.2018
400: ¥13.7303
800: ¥12.5966
0 对比
IPB100N10S3-05 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB100N10S305ATMA1_10mm

暂无价格 0 对比
IPB042N10N3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB042N10N3 G_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售