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FDS6690A  与  IRF8707TRPBF  区别

型号 FDS6690A IRF8707TRPBF
唯样编号 A36-FDS6690A A36-IRF8707TRPBF
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 12.5 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.5m Ohms@11A,10V 11.9mΩ@11A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SOIC 8-SO
连续漏极电流Id 11A 11A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 PowerTrench® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1205pF @ 15V 760pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 5V 9.3nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 760pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 9.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 20,714
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
40+ :  ¥1.54
100+ :  ¥1.188
1,000+ :  ¥0.9889
2,000+ :  ¥0.8987
4,000+ :  ¥0.825
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDS6690A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

暂无价格 0 当前型号
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.54 

阶梯数 价格
40: ¥1.54
100: ¥1.188
1,000: ¥0.9889
2,000: ¥0.8987
4,000: ¥0.825
20,714 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
5,465 对比
IRF7807ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 4,000 对比
DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOP

¥1.0395 

阶梯数 价格
50: ¥1.0395
100: ¥0.6919
1,250: ¥0.6303
2,500: ¥0.583
3,500 对比
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
1,250: ¥1.0637
2,500: ¥0.902
2,500 对比

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