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功率MOSFET   SO-8

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制造商编号 AO4468
制 造 商 AOS(美国万代)  
授权代理品牌
唯样编号 A36-AO4468
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
封装/外壳:SO-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:±20V 连续漏极电流Id:10.5A
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商品目录 功率MOSFET
封装/外壳 SO-8
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs ±20V
连续漏极电流Id 10.5A
Pd-功率耗散(Max) 3.1W
Rds On(Max)@Id,Vgs 17mΩ@10.5A,10V
Rds On(Max)@4.5V 23mΩ
VGS(th) 2.4
Ciss(pF) 740
Coss(pF) 110
Crss(pF) 82
Qg*(nC) 7.5
Qgd(nC) 3
Td(on)(ns) 5
Td(off)(ns) 19
Trr(ns) 18
Qrr(nC) 9
工作温度 -55℃~150℃
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库存 :  5,465

价格梯度 单价(含税)
70+ ¥0.7975
200+ ¥0.5511
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-15天
起订量:70 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  2年内

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 276,000
PJA3441_R1_00001 141,000
PJD16P06A-AU_L2_000A1 42,000
NCEP039N10D 24,000
NCE6012AS 20,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
5,465 当前型号
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
1,250: ¥1.0637
2,500: ¥0.902
2,500 对比
DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.529 

阶梯数 价格
40: ¥1.529
100: ¥1.177
1,250: ¥0.9966
1,974 对比
IRL6342TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥2.035 

阶梯数 价格
30: ¥2.035
100: ¥1.628
107 对比
IRF7413ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.289 

阶梯数 价格
20: ¥3.289
73 对比
IRF7413TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

¥5.0473 

阶梯数 价格
1: ¥5.0473
25: ¥4.6734
40 对比
+1

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