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功率MOSFET   8-SO

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制造商编号 IRF8707TRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A36-IRF8707TRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) Rds On(Max)@Id,Vgs:11.9mΩ@11A,10V FET类型:N-Channel
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 25µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9.3nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 760pF @ 15V
Rds On(Max)@Id,Vgs 11.9mΩ@11A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 11A
封装/外壳 8-SO
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库存 :  20,714

价格梯度 单价(含税)
40+ ¥1.54
100+ ¥1.188
1,000+ ¥0.9889
2,000+ ¥0.8987

整包(请按4000的倍数下单)

4,000+ ¥0.825
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:4,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-15天
起订量:40 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  24+

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 276,000
PJA3441_R1_00001 141,000
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NCE6012AS 20,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.54 

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100: ¥1.188
1,000: ¥0.9889
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20,714 当前型号
BSO110N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

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8-SOIC

¥2.3861 

阶梯数 价格
70: ¥2.3861
100: ¥2.2615
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8399
2,000: ¥1.7057
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100: ¥2.2615
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1,000: ¥1.8399
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SI4410DYTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF8707GTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

5mm

暂无价格 0 对比
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