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MOSFET   8-SO

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制造商编号 DMS3015SSS-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMS3015SSS-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 MOSFET
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 1.55W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 11.9mΩ@11A,10V
栅极电压Vgs ±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1276 pF @ 15 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 30.6 nC @ 10 V
封装/外壳 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 11A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V
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库存 :  2,500

价格梯度 单价(含税)
40+ ¥1.628
100+ ¥1.254
1,250+ ¥1.0637

整包(请按2500的倍数下单)

2,500+ ¥0.902
¥2  
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单价:

总价:

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特殊说明

生产日期  :  2年内

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
ZVP4525E6TA 1,696
DMN62D0UDW-13 503

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
1,250: ¥1.0637
2,500: ¥0.902
2,500 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
5,465 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥6.6119 

阶梯数 价格
30: ¥6.6119
50: ¥3.718
100: ¥3.5264
500: ¥3.2868
1,000: ¥3.1718
2,000: ¥2.9514
2,452 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥6.6119 

阶梯数 价格
30: ¥6.6119
48 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
RXH125N03TB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比
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