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DMN3015LSD-13  与  IRF8313PBF  区别

型号 DMN3015LSD-13 IRF8313PBF
唯样编号 A36-DMN3015LSD-13 A32-IRF8313PBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@12A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
功率-最大值 - 2W
Pd-功率耗散(Max) 1.2W -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 760pF @ 15V
FET类型 2N-Channel 2 N-通道(双)
封装/外壳 SO 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 175°C(TJ)
连续漏极电流Id 8.4A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2.35V @ 25uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 90nC @ 4.5V
系列 DMN3015 -
通道数量 2Channel -
配置 Dual -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1415pF @ 15V -
FET功能 - 逻辑电平门
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25.1nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 15.5 毫欧 @ 9.7A,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 9.7A
漏源电压(Vdss) - 30V
库存与单价
库存 2,080 2
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
30+ :  ¥1.804
100+ :  ¥1.397
1,250+ :  ¥1.21
1+ :  ¥0.598
2+ :  ¥0.5502
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.804 

阶梯数 价格
30: ¥1.804
100: ¥1.397
1,250: ¥1.21
2,080 当前型号
IRF8313PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

¥0.598 

阶梯数 价格
1: ¥0.598
2: ¥0.5502
2 对比
IRL6372TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRF8313PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

暂无价格 0 对比
IRF8313TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比
IRL6372PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC(0.154"",3.90mm宽)

暂无价格 0 对比

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