| 制造商编号 | IRL6372PBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRL6372PBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 8.1A | |
| FET功能 | 逻辑电平门 | |
| FET类型 | 2 N-通道(双) | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 17.9 毫欧 @ 8.1A,4.5V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1020pF @ 25V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11nC @ 4.5V | |
| 功率-最大值 | 2W | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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