| 制造商编号 | IRF8313PBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A32-IRF8313PBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 否 |
| 描述 |
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 9.7A | |
| FET功能 | 逻辑电平门 | |
| FET类型 | 2 N-通道(双) | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 15.5 毫欧 @ 9.7A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 760pF @ 15V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 90nC @ 4.5V | |
| 功率-最大值 | 2W | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,800
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 7天-14天 |
| 起订量：1 | 倍数：1 |
生产日期 : 1319
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
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