制造商编号 | DMN3015LSD-13 |
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制 造 商 | Diodes(达尔) |
唯样编号 | A36-DMN3015LSD-13 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 15mΩ@12A,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25.1nC @ 10V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1415pF @ 15V | |
Pd-功率耗散(Max) | 1.2W | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
封装/外壳 | SO | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 8.4A | |
FET类型 | 2N-Channel | |
系列 | DMN3015 | |
通道数量 | 2Channel | |
配置 | Dual |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
起订量:30 | 倍数:1 |
生产日期 : 22+
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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DMN3015LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO |
¥1.804
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2,080 | 当前型号 | |||||||||
IRF8313PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SOIC(0.154"",3.90mm宽) |
¥0.598
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2 | 对比 | |||||||||
IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
IRF8313PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SOIC(0.154"",3.90mm宽) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
IRF8313TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
IRL6372PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SOIC(0.154"",3.90mm宽) |
暂无价格 | 0 | 对比 |