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功率MOSFET   SO

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制造商编号 DMN3015LSD-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMN3015LSD-13
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
Rds On(Max)@Id,Vgs 15mΩ@12A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 25.1nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1415pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 1.2W
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SO
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 8.4A
FET类型 2N-Channel
系列 DMN3015
通道数量 2Channel
配置 Dual
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库存 :  2,080

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥1.804
100+ ¥1.397
1,250+ ¥1.21
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

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最小包:2,500 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3天-15天
起订量:30 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  22+

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

¥1.804 

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30: ¥1.804
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