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BSC052N03LSATMA1  与  CSD17310Q5A  区别

型号 BSC052N03LSATMA1 CSD17310Q5A
唯样编号 A36-BSC052N03LSATMA1 A32-CSD17310Q5A
制造商 Infineon Technologies TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc) -
功率 - 3.1W(Ta)
技术 MOSFET(金属氧化物) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.1 毫欧 @ 20A,8V
漏源极电压Vds - 30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 15V -
栅极电压Vgs - +10V,-8V
FET类型 N 通道 N-Channel
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 21A(Ta),100A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.2 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
25°C时电流-连续漏极(Id) 17A(Ta),57A(Tc) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 3V,8V
漏源电压(Vdss) 30V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1560pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11.6nC @ 4.5V
库存与单价
库存 3,325 35
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
20+ :  ¥3.08
100+ :  ¥2.475
1,250+ :  ¥2.2
2,500+ :  ¥2.079
1+ :  ¥2.8788
25+ :  ¥2.4817
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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