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BSC052N03LSATMA1  与  BSC886N03LSGATMA1  区别

型号 BSC052N03LSATMA1 BSC886N03LSGATMA1
唯样编号 A36-BSC052N03LSATMA1 A-BSC886N03LSGATMA1
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
数据表
RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),28W(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc)
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 770pF @ 15V 2100pF @ 15V
FET类型 N 通道 N 通道
封装/外壳 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 250uA 2.2V @ 250uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 10V 26nC @ 10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.2 毫欧 @ 30A,10V 6 毫欧 @ 30A,10V
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 17A(Ta),57A(Tc) 13A(Ta),65A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) 30V 30V
库存与单价
库存 3,325 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.08
100+ :  ¥2.475
1,250+ :  ¥2.2
2,500+ :  ¥2.079
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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