| 制造商编号 | BSC052N03LSATMA1 |
|---|---|
| 商品别名 | BSC052N03LS |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-BSC052N03LSATMA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 否 |
| 描述 |
MOSFET N-CH 30V 17A/57A TDSON
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 17A(Ta),57A(Tc) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 5.2 毫欧 @ 30A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 770pF @ 15V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V | |
| 功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),28W(Tc) | |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：5,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：20 | 倍数：1 |
生产日期 : 22+
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSC052N03LSATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC052N03LS_8-PowerTDFN |
￥3.08
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3,325 | 当前型号 | ||||||||||
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RS1E200GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP-8 |
暂无价格 | 53 | 对比 | ||||||||||
|
CSD17310Q5A | TI | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-PowerTDFN |
￥2.8788
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35 | 对比 | ||||||||||
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BSC886N03LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC886N03LS G_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSC886N03LS G | Infineon | 功率MOSFET |
BSC886N03LSGATMA1_5.9mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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RS1E200GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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