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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 21A(Ta),100A(Tc) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 3V,8V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11.6nC @ 4.5V | |
栅极电压Vgs | +10V,-8V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1560pF @ 15V | |
功率 | 3.1W(Ta) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 5.1 毫欧 @ 20A,8V | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:100
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 7天-14天 |
起订量:1 | 倍数:1 |
生产日期 : 1825
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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PXN012-60QLJ | 21,000 |
CQD50N06 | 20,000 |
PMLL4148L,115 | 20,000 |
100N03A | 12,500 |
LN2308LT1G | 12,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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CSD17310Q5A | TI | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-PowerTDFN |
¥2.8788
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35 | 当前型号 | |||||||||||||
BSC052N03LSATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC052N03LS_8-PowerTDFN |
¥3.08
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3,325 | 对比 | |||||||||||||
RS1E180BNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
¥2.6831
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2,360 | 对比 | ||||||||||||||
BSC052N03LS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC052N03LSATMA1_5.9mm |
¥3.905
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567 | 对比 | |||||||||||||
BSC0906NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSC0906NSATMA1_5.9mm |
¥1.936
|
279 | 对比 | |||||||||||||
IRFH5304TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-PQFN(5x6) |
暂无价格 | 0 | 对比 |