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AON6516  与  DMN3008SFG-13  区别

型号 AON6516 DMN3008SFG-13
唯样编号 A36-AON6516 A-DMN3008SFG-13
制造商 AOS Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 83 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 8mΩ -
Qgd(nC) 5.5 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 3690 pF @ 10 V
栅极电压Vgs 20V ±20V
Td(on)(ns) 7 -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 86 nC @ 10 V
封装/外壳 DFN 5x6 PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 56A 17.6A(Ta)
工作温度 - -55℃~150℃(TJ)
Ciss(pF) 1229 -
Schottky Diode No -
Trr(ns) 12.6 -
Td(off)(ns) 24 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 25W 900mW(Ta)
Qrr(nC) 15.2 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 4.6mΩ@13.5A,10V
VGS(th) 2.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
驱动电压 - 4.5V,10V
Coss(pF) 526 -
Qg*(nC) 12 -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V 20V 56A 25W 5mΩ@10V

暂无价格 0 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥2.475 

阶梯数 价格
30: ¥2.475
100: ¥1.991
750: ¥1.76
1,500: ¥1.661
2,991 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.1745 

阶梯数 价格
30: ¥5.1745
50: ¥3.4785
100: ¥2.9035
500: ¥2.5298
1,000: ¥2.4531
2,000: ¥2.3956
2,775 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C

¥5.1745 

阶梯数 价格
30: ¥5.1745
50: ¥3.4785
100: ¥2.9035
104 对比
CSD17310Q5A TI  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 21A(Ta),100A(Tc) +10V,-8V 5.1 毫欧 @ 20A,8V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 对比
DMN3008SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

暂无价格 0 对比

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