首页 > 商品目录 > > > > AON6516代替型号比较

AON6516  与  CSD17310Q5A  区别

型号 AON6516 CSD17310Q5A
唯样编号 A36-AON6516 A32-CSD17310Q5A
制造商 AOS TI
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 83 -
功率 - 3.1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 5mΩ@10V 5.1 毫欧 @ 20A,8V
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 8mΩ -
Qgd(nC) 5.5 -
栅极电压Vgs 20V +10V,-8V
Td(on)(ns) 7 -
封装/外壳 DFN 5x6 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 56A 21A(Ta),100A(Tc)
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 1229 -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 3V,8V
Schottky Diode No -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.8V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1560pF @ 15V
Trr(ns) 12.6 -
Td(off)(ns) 24 -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 25W -
Qrr(nC) 15.2 -
VGS(th) 2.2 -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 11.6nC @ 4.5V
Coss(pF) 526 -
Qg*(nC) 12 -
库存与单价
库存 0 35
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.8788
25+ :  ¥2.4817
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6516 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN5x6

暂无价格 0 当前型号
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.475 

阶梯数 价格
30: ¥2.475
100: ¥1.991
750: ¥1.76
1,500: ¥1.661
2,991 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
500: ¥2.2902
1,000: ¥2.2807
2,000: ¥2.2711
2,775 对比
RQ3E180GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT-8

¥2.5681 

阶梯数 价格
60: ¥2.5681
100: ¥2.2902
104 对比
CSD17310Q5A TI  数据手册 通用MOSFET

8-PowerTDFN

¥2.8788 

阶梯数 价格
1: ¥2.8788
25: ¥2.4817
35 对比
DMN3008SFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售