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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 连续漏极电流Id | 18A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | |
| Qg-栅极电荷 | 22.4nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 4.3mΩ@18A,10V | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 上升时间 | 6.9ns | |
| 下降时间 | 10.2ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 56.8ns | |
| 典型接通延迟时间 | 16.5ns | |
| 封装/外壳 | HSMT-8 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 正向跨导 - 最小值 | 17S | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single | |
| 工作温度 | -55°C~150°C |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥2.0889 总价：￥62.667 |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：30 | 倍数：1 |
生产日期 : 22+
高精度电流检测，具备-14V~+80V的宽共模电压范围，可输出模拟电压信号
专为汽车应用设计的电流检测放大器，适用于高精度电流监测场景
低开关损耗，低导通电阻，小型芯片尺寸，实现了更低的电容和栅极电荷
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
承受10us短路时间，低集电极-发射极饱和电压，内置快速恢复二极管（FRD）
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| GP3139 | 243,000 |
| LMP22D5N3T5G | 120,000 |
| AO3401A | 96,000 |
| LP2371LT1G | 60,000 |
| GP3134K | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RQ3E180GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
18A 2W 4.3mΩ@18A,10V 30V ±20V HSMT-8 N-Channel -55°C~150°C |
￥2.0889
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2,961 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7516 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 30A 25W 4.5mΩ@10V |
￥0.924
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15,786 | 对比 | ||||||||||||
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AON7522E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 34A 31W 4mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥1.595
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6,602 | 对比 | ||||||||||||
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AON6576 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
￥0.8899
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1,670 | 对比 | ||||||||||||
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AON6576 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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AON7422E | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 40A 36W 4.3mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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