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RSD050N06TL  与  DMN6068LK3-13  区别

型号 RSD050N06TL DMN6068LK3-13
唯样编号 A33-RSD050N06TL A-DMN6068LK3-13
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 5A CPT3 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO252-3L
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 15W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs - 68mΩ
上升时间 - 10.8ns
Qg-栅极电荷 - 10.3nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 290pF @ 10V -
栅极电压Vgs - 1V
正向跨导 - 最小值 - 19.7S
封装/外壳 CPT3 DPAK
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 8.5A
配置 - Single
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 109 毫欧 @ 5A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 8.7ns
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 8.49W
典型关闭延迟时间 - 11.9ns
FET类型 N 通道 -
不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V @ 1mA -
系列 - DMN6068
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 502pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 10.3nC @ 10V
25°C时电流-连续漏极(Id) 5A(Ta) -
漏源电压(Vdss) 60V -
典型接通延迟时间 - 3.6ns
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V -
库存与单价
库存 197 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥4.063
50+ :  ¥3.5934
100+ :  ¥3.2006
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RSD050N06TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

CPT3

¥4.063 

阶梯数 价格
40: ¥4.063
50: ¥3.5934
100: ¥3.2006
197 当前型号
DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥1.793 

阶梯数 价格
30: ¥1.793
100: ¥1.375
867 对比
AOD444 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

¥1.595 

阶梯数 价格
40: ¥1.595
100: ¥1.221
259 对比
DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比
AOD444 AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-252

暂无价格 0 对比
DMN6068LK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

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