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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | TO-252 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 连续漏极电流Id | 12A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 20W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 60mΩ@12A,10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 85mΩ | |
| VGS(th) | 3 | |
| Ciss(pF) | 450 | |
| Coss(pF) | 61 | |
| Crss(pF) | 27 | |
| Qg*(nC) | 3.8 | |
| Qgd(nC) | 1.9 | |
| Td(on)(ns) | 4.2 | |
| Td(off)(ns) | 16 | |
| Trr(ns) | 27 | |
| Qrr(nC) | 30 | |
| 工作温度 | -55℃~175℃ |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOD444 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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IRLR024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
￥1.815
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16,065 | 对比 | ||||||||||
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IRLR024NTRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
￥2.178
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908 | 对比 | ||||||||||
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DMN6068LK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
￥1.793
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867 | 对比 | ||||||||||
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RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
￥4.063
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500 | 对比 | ||||||||||
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|
RSD050N06TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
CPT3 |
￥4.063
|
197 | 对比 |
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