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RQ3E120GNTB  与  DMN3010LFG-7  区别

型号 RQ3E120GNTB DMN3010LFG-7
唯样编号 A33-RQ3E120GNTB A-DMN3010LFG-7
制造商 ROHM Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ@12A,10V -
上升时间 4.5ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 900mW(Ta)
Qg-栅极电荷 10nC -
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 8.5mΩ@18A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 2075 pF @ 15 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 25.5ns -
正向跨导 - 最小值 10S -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 37 nC @ 10 V
封装/外壳 HSMT-8 PowerDI3333-8
连续漏极电流Id 12A 11A(Ta),30A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压 - 4.5V,10V
下降时间 3.4ns -
典型接通延迟时间 9.6ns -
库存与单价
库存 2,170 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.7981
100+ :  ¥2.1561
500+ :  ¥1.7345
1,000+ :  ¥1.6482
2,000+ :  ¥1.5907
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60: ¥2.7981
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阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
502 对比
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