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RQ3E120GNTB  与  AON7200  区别

型号 RQ3E120GNTB AON7200
唯样编号 A33-RQ3E120GNTB A-AON7200
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 8.8mΩ@12A,10V 8 mΩ @ 20A,10V
上升时间 4.5ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 3.1W(Ta),62W(Tc)
Qg-栅极电荷 10nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 25.5ns -
正向跨导 - 最小值 10S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 8-DFN(3x3)
连续漏极电流Id 12A 15.8A(Ta),40A(Tc)
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
栅极电荷Qg - 20nC @ 10V
下降时间 3.4ns -
典型接通延迟时间 9.6ns -
库存与单价
库存 2,170 0
工厂交货期 21 - 28天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥2.7981
100+ :  ¥2.1561
500+ :  ¥1.7345
1,000+ :  ¥1.6482
2,000+ :  ¥1.5907
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E120GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

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¥2.7981 

阶梯数 价格
60: ¥2.7981
100: ¥2.1561
500: ¥1.7345
1,000: ¥1.6482
2,000: ¥1.5907
2,170 当前型号
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阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
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