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RQ3E120BNTB  与  AON6414A  区别

型号 RQ3E120BNTB AON6414A
唯样编号 A33-RQ3E120BNTB-0 A-AON6414A
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.3mΩ@12A,10V 8mΩ@20A,10V
上升时间 30ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 31W
Qg-栅极电荷 29nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 46ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerVDFN DFN 5x6
连续漏极电流Id 12A 30A
工作温度 - -55°C~150°C
下降时间 12ns -
典型接通延迟时间 9ns -
库存与单价
库存 3,000 502
工厂交货期 21 - 28天 3 - 5天
单价(含税)
60+ :  ¥2.8364
100+ :  ¥2.2711
500+ :  ¥1.8974
1,000+ :  ¥1.8207
2,000+ :  ¥1.7632
1+ :  ¥1.2051
100+ :  ¥0.9592
1,000+ :  ¥0.6912
1,500+ :  ¥0.5949
3,000+ :  ¥0.47
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E120BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12A 2W 9.3mΩ@12A,10V 30V ±20V 8-PowerVDFN N-Channel

¥2.8364 

阶梯数 价格
60: ¥2.8364
100: ¥2.2711
500: ¥1.8974
1,000: ¥1.8207
2,000: ¥1.7632
3,000 当前型号
AON7752 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 16A 20W 8.2mΩ@10V

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
2,500: ¥0.6329
5,000: ¥0.5
4,722 对比
AON7506 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.122 

阶梯数 价格
50: ¥1.122
100: ¥0.7524
1,250: ¥0.627
2,181 对比
AON6414A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 30A 31W 8mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.2051 

阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
502 对比
NVTFS4C13NWFTWG ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-WDFN(3.3x3.3) 车规

暂无价格 0 对比
AON7506 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.7887 

阶梯数 价格
1,020: ¥1.7887
2,500: ¥1.3989
5,000: ¥1.0911
0 对比

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