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功率MOSFET   12A 2W 9.3mΩ@12A,10V 30V ±20V 8-PowerVDFN N-Channel

图像仅供参考 请参阅产品规格
图片丝印不一定为本产品

制造商编号 RQ3E120BNTB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-RQ3E120BNTB-0
供货 严选
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
12A 2W 9.3mΩ@12A,10V 30V ±20V 8-PowerVDFN N-Channel
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
连续漏极电流Id 12A
Pd-功率耗散(Max) 2W
Qg-栅极电荷 29nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.3mΩ@12A,10V
漏源极电压Vds 30V
栅极电压Vgs ±20V
上升时间 30ns
下降时间 12ns
典型关闭延迟时间 46ns
典型接通延迟时间 9ns
封装/外壳 8-PowerVDFN
FET类型 N-Channel
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库存 :  3,000

价格梯度 单价(含税)
60 + ¥2.8364
100 + ¥2.2711
500 + ¥1.8974
1,000 + ¥1.8207
2,000 + ¥1.7632
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:2.8364

总价:170.184

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:3,000 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:60 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2019 年

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 288,000
PJD50P04-AU_L2_000A1 114,000
S-LP2408LT1G 102,050
PJA3441_R1_00001 69,000
PSMN6R0-30YLDX 24,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RQ3E120BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

12A 2W 9.3mΩ@12A,10V 30V ±20V 8-PowerVDFN N-Channel

¥2.8364 

阶梯数 价格
60: ¥2.8364
100: ¥2.2711
500: ¥1.8974
1,000: ¥1.8207
2,000: ¥1.7632
3,000 当前型号
AON7752 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V 20V 16A 20W 8.2mΩ@10V

¥1.2821 

阶梯数 价格
1: ¥1.2821
100: ¥1.0204
1,000: ¥0.7353
2,500: ¥0.6329
5,000: ¥0.5
4,722 对比
AON7506 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 3x3 EP N-Channel 30V ±20V 12A 20.5W 9.8mΩ@12A,10V -55°C~150°C

¥1.122 

阶梯数 价格
50: ¥1.122
100: ¥0.7524
1,250: ¥0.627
2,181 对比
AON6414A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 30A 31W 8mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥1.2051 

阶梯数 价格
1: ¥1.2051
100: ¥0.9592
1,000: ¥0.6912
1,500: ¥0.5949
3,000: ¥0.47
502 对比
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) PowerDI 10.5A 2.2W 11mΩ 30V 2.5V N-Channel

暂无价格 0 对比
BSZ088N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ088N03MSGATMA1_30V 11A 8.8mΩ 20V 2.1W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
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