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FDP3632  与  STP100N8F6  区别

型号 FDP3632 STP100N8F6
唯样编号 A32-FDP3632 A3-STP100N8F6
制造商 ON Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 310 W 110 nC PowerTrench Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 310W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 9 毫欧 @ 80A,10V 8mΩ
上升时间 - 46ns
Qg-栅极电荷 - 100nC
栅极电压Vgs ±20V 2V
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A(Ta),80A(Tc) 100A
配置 - Single
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
下降时间 - 21ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6000pF @ 25V 5955pF @ 25V
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 310W(Tc) 176W
典型关闭延迟时间 - 103ns
FET类型 N-Channel -
系列 PowerTrench® STP100N8F6
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 33ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 100nC @ 10V
库存与单价
库存 25 41,500
工厂交货期 7 - 14天 5 - 7天
单价(含税)
1+ :  ¥6.6764
25+ :  ¥6.1819
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP3632 ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-220AB TO-220-3

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
25 当前型号
STP100N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

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阶梯数 价格
20: ¥7.9549
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TO-220-3

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