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功率MOSFET   TO-220-3

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制造商编号 STP100N8F6
制 造 商 ST(意法半导体)
唯样编号 A36-STP100N8F6
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 连续漏极电流Id:100A Pd-功率耗散(Max):176W Rds On(Max)@Id,Vgs:8mΩ
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5955pF @ 25V
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
封装/外壳 TO-220-3
连续漏极电流Id 100A
Pd-功率耗散(Max) 176W
Qg-栅极电荷 100nC
Rds On(Max)@Id,Vgs 8mΩ
漏源极电压Vds 80V
栅极电压Vgs 2V
上升时间 46ns
下降时间 21ns
典型关闭延迟时间 103ns
典型接通延迟时间 33ns
系列 STP100N8F6
通道数量 1Channel
配置 Single
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