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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 100nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5955pF @ 25V | |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | |
| 连续漏极电流Id | 100A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 176W | |
| Qg-栅极电荷 | 100nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 8mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 80V | |
| 栅极电压Vgs | 2V | |
| 上升时间 | 46ns | |
| 下降时间 | 21ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 103ns | |
| 典型接通延迟时间 | 33ns | |
| 系列 | STP100N8F6 | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | Single |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：50
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 5天-7天 |
低损耗，极低的电容值（低至0.05pF）和极严格的电容公差（±0.02pF~±1pF）
单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，用于新兴的宽带隙功率器件驱动
2-line且双向的ESD（静电放电）保护，保护水平高达±30 kV
频率范围广泛，不同型号覆盖从40MHz~1.8GHz
最大结温高达175°C，极快反向恢复能力
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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STP100N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 41,500 | 当前型号 | ||||||||||
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STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
暂无价格 | 173,300 | 对比 | ||||||||||
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STP110N8F6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
￥4.037
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2,314 | 对比 | ||||||||||
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AOT288L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220 |
￥7.1429
|
1,000 | 对比 | ||||||||||
|
FDP3632 | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
TO-220AB TO-220-3 |
￥6.6764
|
25 | 对比 | |||||||||||
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PSMN8R7-80PS,127 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN8R7-80PS_SOT78 |
￥8.6038
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0 | 对比 |
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