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FDP3632  与  DMTH10H010LCT  区别

型号 FDP3632 DMTH10H010LCT
唯样编号 A32-FDP3632 A-DMTH10H010LCT
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 100 V 310 W 110 nC PowerTrench Through Hole Mosfet - TO-220-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 310W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 9 毫欧 @ 80A,10V 9.5mΩ@13A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 310W(Tc) 2.4W(Ta),166W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 12A(Ta),80A(Tc) 108A(Tc)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6000pF @ 25V 2592pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V 53.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6000pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 110nC @ 10V -
库存与单价
库存 25 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.6764
25+ :  ¥6.1819
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDP3632 ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-220AB TO-220-3

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
25 当前型号
STP100N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

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¥7.9549 

阶梯数 价格
20: ¥7.9549
50: ¥6.5204
0 对比
IRFB4410Z Infineon  数据手册 通用MOSFET

TO-220

暂无价格 0 对比
STP100N8F6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

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DMTH10H010LCT Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比

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