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RQ3E080GNTB  与  AON7408L  区别

型号 RQ3E080GNTB AON7408L
唯样编号 A3-RQ3E080GNTB A36-AON7408L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 16.7mΩ@8A,10V 22 mΩ @ 9A,10V
上升时间 3.6ns -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2W 1.7W (Ta),20W (Tc)
Qg-栅极电荷 5.8nC -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
典型关闭延迟时间 17.3ns -
正向跨导 - 最小值 7S -
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT-8 8-DFN-EP(3x3)
连续漏极电流Id 8A 7.5A (Ta),20A (Ta)
工作温度 -55°C~150°C -55°C ~ 150°C(TJ)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
栅极电荷Qg - 8nC @ 4.5V
下降时间 2.4ns -
典型接通延迟时间 6.9ns -
库存与单价
库存 200 0
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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