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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 封装/外壳 | DFN 3x3 EP | |
| FET类型 | N-Channel | |
| ESD Diode | No | |
| Schottky Diode | No | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 20V | |
| 连续漏极电流Id | 18A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 11W | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@10V | |
| Rds On(Max)@4.5V | 32mΩ | |
| VGS(th) | 2.6 | |
| Ciss(pF) | 373 | |
| Coss(pF) | 67 | |
| Crss(pF) | 41 | |
| Qg*(nC) | 7.1 | |
| Qgd(nC) | 1.6 | |
| Td(on)(ns) | 4.3 | |
| Td(off)(ns) | 15.8 | |
| Trr(ns) | 10.5 | |
| Qrr(nC) | 4.5 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：5,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：80 | 倍数：1 |
生产日期 : 5年内
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AON7408 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN3x3EP |
￥0.682
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906 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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BSZ040N04LS G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ040N04LSGATMA1_3.3mm |
￥6.7365
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4,950 | 对比 | ||||||||||||||||
|
DMN3024SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥1.738
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1,589 | 对比 | ||||||||||||||||
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BSZ040N04LSGATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSZ040N04LS G_8-PowerTDFN |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
|
AON7408L | AOS | 功率MOSFET |
8-DFN-EP(3x3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||||||
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|
DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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