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R6020ENJTL  与  IPB60R190C6  区别

型号 R6020ENJTL IPB60R190C6
唯样编号 A3-R6020ENJTL A32-IPB60R190C6
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 196mΩ@9.5A,10V 170mΩ
上升时间 - 11ns
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 151W
Qg-栅极电荷 - 63nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 110ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB -
连续漏极电流Id 20A(Tc) 20.2A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - CoolMOSC6
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
下降时间 - 9ns
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA 3.5V @ 630µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 25V 1400pF @ 100V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V 63nC @ 10V
高度 - 4.4mm
库存与单价
库存 100 4
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.024
2+ :  ¥1.862
4+ :  ¥1.7129
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 100 当前型号
IPB60R190C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R190C6ATMA1_10mm

¥2.024 

阶梯数 价格
1: ¥2.024
2: ¥1.862
4: ¥1.7129
4 对比
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO263

暂无价格 0 对比
IPB60R190C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R190C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

暂无价格 0 对比
STB25NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-263-3

暂无价格 0 对比
STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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