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R6020ENJTL  与  STB28NM60ND  区别

型号 R6020ENJTL STB28NM60ND
唯样编号 A3-R6020ENJTL A-STB28NM60ND
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 196mΩ@9.5A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK
连续漏极电流Id 20A(Tc) -
工作温度 150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 100 当前型号
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IPB60R190C6ATMA1_10mm

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阶梯数 价格
1: ¥2.024
2: ¥1.862
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IPB60R190C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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D2PAK

暂无价格 0 对比

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