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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | AOB | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 19.8nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1038pF @ 100V | |
| 栅极电压Vgs | ±30V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 199mΩ@10A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 600V | |
| 连续漏极电流Id | 20A | |
| 封装/外壳 | TO263 | |
| Pd-功率耗散(Max) | 266W |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
|---|---|
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暂无价格 |
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最小包：800
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
用于锂电池的保护，具有低Rdson，可快速充电及延长电池寿命
具有低 RDS(ON)，逻辑电平栅极驱动，ESD 保护等特点
功率MOSFET 30V P-Channel DFN3*3封装
提供高效同步降压功率级，具有最佳布局和电路板空间利用率
60V 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON).
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO263 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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STB20N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STB27NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STB23NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STB20N65M5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPB60R160C6ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB60R160C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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