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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 600V | |
连续漏极电流Id | 20A(Tc) | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60nC @ 10V | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1400pF @ 25V | |
Pd-功率耗散(Max) | 40W(Tc) | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 196mΩ@9.5A,10V | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:1,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低开关损耗且高速开关工作,它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
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R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263-3,D²Pak,TO-263AB |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | |||||||||
IPB60R190C6 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB60R190C6ATMA1_10mm |
¥2.024
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4 | 对比 | |||||||||
AOB20S60L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO263 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
IPB60R190C6ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB60R190C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
STB25NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||
STB28NM60ND | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |