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FDN357N  与  AO3434A  区别

型号 FDN357N AO3434A
唯样编号 A3-FDN357N A36-AO3434A
制造商 ON Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 20
功率 500mW(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 60 毫欧 @ 2.2A,10V 52mΩ@10V
ESD Diode - Yes
Rds On(Max)@4.5V - 60mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 78mΩ
Qgd(nC) - 1 Ohms
栅极电压Vgs ±20V 12V
Td(on)(ns) - 2
封装/外壳 SuperSOT SOT23-3
连续漏极电流Id 1.9A 4A
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 245
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 6.5
Td(off)(ns) - 22 Ohms
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 500mW(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 7.5
VGS(th) - 1.5
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 235pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5.9nC @ 5V -
Coss(pF) - 35
Qg*(nC) - 2.6
库存与单价
库存 12,000 5,541
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
80+ :  ¥0.6424
200+ :  ¥0.4901
1,500+ :  ¥0.4264
3,000+ :  ¥0.377
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

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¥0.5544 

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100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
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阶梯数 价格
40: ¥1.364
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1,500: ¥0.9108
3,000: ¥0.792
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SOT23-3

¥0.6424 

阶梯数 价格
80: ¥0.6424
200: ¥0.4901
1,500: ¥0.4264
3,000: ¥0.377
5,541 对比

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